RTM660C無接觸式硅片厚度電阻率測試系統 RTM660C采用的厚度及電阻率探頭，配以強大的軟件控制，可以用多種方式進行無接觸式測

北京羲和陽光科技發展有限公司是一家新能源科技公司，致力于太陽能光伏產業。提供光伏生產所用硅料的分選、檢驗、檢測設備及相關設備配件，幫助您識別高質量的硅料，減少采購或銷售的風險。
        
    我公司經營的主要產品有：硅料分選測試儀（電阻率，PN型識別）、電阻測試儀、排重摻測試儀、少子壽命測試儀、測厚儀、碳氧磷硼含量測試儀，表面線痕測試儀，光譜橢偏儀，透過率測試儀、相關產品配件，以及鎵摻雜劑、母合金摻雜劑，異丙醇，雙氧水等耗材。

    羲和的名稱來源于中國的太陽神羲和女神，作為太陽能光伏產業的一份子，為提高太陽能電池生產過程的可控性，最大限度的減少過程風險，羲和科技在不懈追求、積極探索，我們深感肩頭的重任，我們會倍加努力，持之以恒，給您提供最優質的產品、最優惠的價格和最滿意的服務。

RTM660C無接觸式硅片厚度電阻率測試系統

RTM660C采用高精度的厚度及電阻率探頭，配以強大的軟件控制，可以用多種方式進行無接觸式測量，使得測試過程變得十分高效。系統采用一體化設計，結構緊湊，安裝方便。使用者在操作平臺上轉動硅片，測試數據可即時顯示，并可對測試數據進行分析處理。高精度電容式厚度探頭和電渦流式電阻率探頭，保證測試結果精確且穩定。RTM660C可廣泛使用于研究、生產及質檢等場所，友好的人機交互界面，使用相當便捷。


技術參數
■ 硅片規格：
方片125x125mm、156x156mm
圓片3″、4″、5″、6″、8″
■ 測試功能
厚度：單點及多點厚度
TTV：總厚度偏差
體電阻率：單點及多點體電阻率
■ 測試指標
厚度范圍：150～1000μm
測量誤差：≤±1.0μm
重復性：≤±0.20μm
TTV范圍：0.00μm～200.00μm
測量誤差：≤±0.50μm
重復性：≤±0.20μm
體電阻率范圍：0.1Ω.cm~30.0Ω.cm
測量誤差：≤±3%
重復性：≤1.5%
■ 設備尺寸/重量：470mm(L)x420mm(W)x600mm(H)/20Kg
■ 測試環境要求：溫度范圍15～27℃
■ 濕度范圍：35%～85%
■ 電源要求：220VAC,50Hz
■ 控制器：高性能主機

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